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厂商型号

KST06MTF_Q 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

内部编号

3-KST06MTF-Q

#1

数量:336
1+¥0.322
25+¥0.232
100+¥0.206
250+¥0.18
500+¥0.161
15000+¥0.161
最小起订量:1
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KST06MTF_Q产品详细规格

Status Active
封装 Reel
增益带宽产品fT 100 MHz
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 4 V
最大功率耗散 350 mW
直流集电极/增益hfe最小值 50
集电极最大直流电流 0.5 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 80 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 80 V
封装/外壳 SOT-23
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS No
连续集电极电流 0.5 A

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